退火片是在中性或還原氣氛中進行高溫退火而導致硅拋光片近表面潔凈區內無晶體缺陷[包括晶體原生巴坑(COP)]的硅片。中科檢測開展退火片檢測服務，檢測報告具備CMA、CNAS資質。

1. 基本要求：生長方式、晶向、晶向偏離度、導電類型、摻雜劑、晶體中共摻雜 、電阻率、徑向電阻率變化、氧含量、徑向氧含量變化等
2. 幾何參數：厚度及允許偏差、總厚度變化、翹曲度、局部平整度
3. 表面質量：局部光散體、劃傷總長度、霧、光澤度、表面沾污、其他缺陷
4. 表面金屬含量：鈉、鋅、鈣、鎳等
5. 其他性能：氧化誘生缺陷、體金屬(鐵)含量、潔凈區寬度(DZ)、體微缺陷密度(BMD)

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